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龙图腾网获悉苹果公司申请的专利具有受控波长的集成垂直发射器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031211.X，技术领域涉及：H01S5/0234；该发明授权具有受控波长的集成垂直发射器结构是由谈飞;A·拉甫拉奎尔;林劲翰;C·维罗夫;J·Y·帕克设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有受控波长的集成垂直发射器结构在说明书摘要公布了：一种光电子设备22包括：i具有第一水平的n型掺杂物的半导体衬底24；ii设置在半导体衬底24上方并且掺杂有大于第一水平的第二水平的n型掺杂物的接触半导体层25；iii设置在接触半导体层25上方并且包括交替的、具有在预定波长带中彼此不同的相应的第一和第二折射率的第一和第二外延半导体层55的上部分布式布拉格反射器DBR79堆叠；iv设置在上部DBR79上方的外延层组35,36，该外延层组35,36包括一种或多种III‑V族半导体材料并且限定：a量子阱结构33和b限制层44；以及v设置在外延层组35,36上、与上部DBR79相对并且包括交替的电介质层和半导体层52,54的下部DBR78堆叠。

本发明授权具有受控波长的集成垂直发射器结构在权利要求书中公布了：1.一种光电子设备，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底掺杂有第一水平的n型掺杂物； 接触半导体层，所述接触半导体层设置在所述半导体衬底上方并且掺杂有大于所述第一水平的第二水平的n型掺杂物； 上部分布式布拉格反射器DBR堆叠，所述上部DBR堆叠设置在所述接触半导体层上方并且包括交替的第一外延半导体层和第二外延半导体层，所述第一外延半导体层和所述第二外延半导体层具有在预定波长带中彼此不同的相应的第一折射率和第二折射率，所述上部DBR包括具有少于三十对层的直接带隙n型分布式布拉格反射器nDBR； 外延层组，所述外延层组设置在所述上部DBR上方，其中所述外延层组包括一种或多种III-V族半导体材料并且限定： 量子阱QW结构，所述QW结构包括多对交替层，所述多对交替层包括iQW层和ii阻挡层； 限制层，所述限制层包括具有第三水平的p型掺杂物的第一p型层和n型层；以及 第二p型层，所述第二p型层设置在所述QW结构和所述限制层之间，并且具有小于所述第三水平的第四水平的p型掺杂物； 下部DBR堆叠，所述下部DBR堆叠设置在所述外延层组上方，与所述上部DBR相对，并且包括交替的电介质层和半导体层，所述下部DBR具有混合反射器，所述混合反射器具有电介质分布式布拉格反射器DD和一个或多个n型半导体层的组合； 穿过所述下部DBR的腔，所述穿过所述下部DBR的腔填充有导电层，所述导电层被配置为：i在电源和所述量子阱结构之间传导激励电流，以及ii消散由至少所述量子阱结构产生的热量；以及 具有中空中心的环形层，其中所述环形层设置在所述导电层与所述量子阱结构之间的所述穿过所述下部DBR的腔内，并且被配置为：i在所述导电层与所述量子阱结构之间传导所述激励电流；以及ii增强从所述量子阱结构移除所述热量。

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