上海南芯半导体科技股份有限公司赵炜获国家专利权
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龙图腾网获悉上海南芯半导体科技股份有限公司申请的专利一种低功耗栅极驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115632614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211326385.1,技术领域涉及:H03F1/02;该发明授权一种低功耗栅极驱动电路是由赵炜设计研发完成,并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低功耗栅极驱动电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种低功耗栅极驱动电路,涉及电源管理技术领域。所述驱动电路包括第一放大器、第二放大器、取小模块和电压控制模块;本发明通过第一放大器的正极输入端输入的斜坡信号控制取小模块输出的第一电压信号缓慢上升,并根据该电压信号使电压控制模块来调节所述目标晶体管的栅极电压,从而能控制目标晶体管栅极电压的启动上升斜率、实现对晶体管的缓启动,并当电源输出端的输出电压等于第二放大器的负极输入端的电压时,取小模块保持第二放大器输出的第二电压信号不变,电压控制模块进而根据第二电压信号控制目标晶体管的栅极电压保持不变,实现对目标晶体管的稳定运行、对栅极的保护,以及降低电路功耗。
本发明授权一种低功耗栅极驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种低功耗栅极驱动电路,其特征在于,包括:第一放大器、第二放大器、取小模块和电压控制模块; 所述第一放大器的负极输入端与目标晶体管的栅极连接;所述第一放大器的正极输入端用于输入斜坡信号;所述第一放大器的输出端与所述取小模块的输入端连接;所述第一放大器用于输出第一电压信号; 所述第二放大器的负极输入端与所述目标晶体管的栅极连接;所述第二放大器的正极输入端与所述目标晶体管的源极连接;所述第二放大器的输出端与所述取小模块的输入端连接;所述第二放大器用于输出第二电压信号; 所述取小模块的输出端与所述电压控制模块的输入端连接;所述电压控制模块的第一输出端与所述目标晶体管的栅极连接;所述电压控制模块的第二输出端与所述目标晶体管的源极连接;所述目标晶体管的源极还与电源输出端连接;所述目标晶体管的漏极与电源输入端连接; 电路启动时,所述取小模块以所述第一电压信号作为输出,所述第一电压信号随着所述斜坡信号的增大而逐渐增大;所述电压控制模块根据所述取小模块输出的第一电压信号控制所述目标晶体管的栅极电压逐渐增大,当栅极电压超过电压阈值时,所述目标晶体管导通; 所述目标晶体管导通后,所述取小模块以所述第一电压信号作为输出,所述第一电压信号随着所述斜坡信号的增大而逐渐增大,所述电压控制模块根据所述取小模块输出的第一电压信号控制所述目标晶体管的栅极电压和所述电源输出端的输出电压逐渐增大,当所述输出电压等于所述电源输入端的输入电压时,所述输出电压保持不变; 所述输出电压保持不变后,当所述第二放大器的负极输入端的电压等于所述输出电压时,所述取小模块以所述第二电压信号作为输出,所述第二电压信号保持不变,所述电压控制模块根据所述第二电压信号控制所述目标晶体管的栅极电压保持不变。
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