西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所张国和获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211362815.5，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法是由张国和;宫晨蓉;刘佳;万贤杰;俞宙;邢乾设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法，包括衬底，衬底之上设置有栅电极，栅电极之上设置有双层电介质，双层电介质层的上表面设置有源电极和漏电极，源电极和漏电极通过半导体沟道相连接；所述双层电介质包括从下至上设置的高k金属氧化物电介质层和KH550‑GO电介质层；所述半导体沟道的材料为石墨烯。本发明可以降低突触器件的操作电压，提高电流线性度。
本发明授权一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双层电介质的碳基三端仿生突触器件，其特征在于，该仿生突触器件从下至上依次包括衬底1、位于衬底1之上的栅电极2，位于栅电极2之上的双层电介质，所述双层电介质层的上表面分别设有源电极5及漏电极6，源电极5和漏电极6通过半导体沟道7相连接；所述双层电介质包括从下至上设置的具有忆阻特性的高k金属氧化物电介质层3和KH550-GO电介质层4，半导体沟道7材料为石墨烯。
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