星科金朋私人有限公司李勋择获国家专利权
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龙图腾网获悉星科金朋私人有限公司申请的专利双面部分模制的SIP模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210782563.5，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权双面部分模制的SIP模块是由李勋择;金光;J·H·叶设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本双面部分模制的SIP模块在说明书摘要公布了：双面部分模制的SIP模块。一种半导体器件具有衬底和设置在衬底的第一表面上方的第一部件。连接器设置在衬底的第一表面上方。第一密封剂沉积在第一部件上方，同时连接器保留在第一密封剂的外部。屏蔽层形成在第一密封剂上方，同时连接器保留在屏蔽层的外部。第二部件设置在衬底的第二表面上方。焊料凸块设置在衬底的第二表面上方。第二密封剂沉积在衬底的第二表面上方。通过第二密封剂形成开口以暴露焊料凸块。焊球设置在开口中。焊球和焊料凸块被回流以形成组合的焊料凸块。
本发明授权双面部分模制的SIP模块在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供衬底； 在所述衬底的第一表面上方设置第一部件和B2B连接器； 在所述第一部件上方沉积第一密封剂，同时所述B2B连接器保持在所述第一密封剂的外部； 在与第一表面相对的所述衬底的第二表面上形成焊料凸块； 在衬底的第二表面上设置半导体管芯； 在焊料凸块和半导体管芯上方、在所述衬底的第二表面上方沉积第二密封剂； 背面研磨所述第二密封剂，直到从第二密封剂暴露所述半导体管芯，其中第二密封剂在背面研磨之后保持完全覆盖所述焊料凸块； 钻一个开口到第二密封剂中，以在背面研磨之后暴露焊料凸块； 在所述开口中设置焊球；并且 加热焊料凸块和焊球，以使焊料凸块和焊球回流成组合的焊料凸块； 将衬底设置在薄膜载体上方，其中第二密封剂朝向薄膜载体定向； 将掩模设置在B2B连接器上方，其中所述掩模搁置在所述薄膜载体上，并且其中掩模的朝向第一密封剂定向的侧面包括在密封剂与B2B连接器之间的在衬底上方延伸的唇缘； 在第一密封剂和掩模上方形成屏蔽层，同时衬底保持在所述薄膜载体上方；并且 在形成所述屏蔽层之后去除所述掩模。
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