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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115790469B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211548473.6，技术领域涉及：G01B15/00；该发明授权基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置是由刘世元;邓定选;陈修国;杨天娟;李仲禹设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置，所述方法包括获取集成电路中套刻偏移测量标记的形貌结构及其关键尺寸信息；基于小角X射线散射模型，结合套刻误差测量标记的形貌结构和所述关键尺寸信息，获取套刻偏移测量标记的形状因子；基于套刻偏移测量标记的形状因子，建立小角度X射线入射至所述套刻偏移测量标记时的理论散射光强模型；对理论散射光强模型进行调制并确定调制后的散射光强为目标衍射级次位置处的峰值位置；根据所述峰值位置、所述目标衍射级次位置和所述套刻偏移量目标值计算在所述套刻偏移测量标记下的套刻误差。本发明能够快速计算不同形状套刻结构的套刻误差，并提高了测量结果的准确性。

本发明授权基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法，其特征在于，包括： 获取集成电路中套刻偏移测量标记的形貌结构及其关键尺寸信息，所述套刻偏移测量标记包括前层结构标记和当层结构标记，所述前层结构标记和所述当层结构标记均包括周期性结构，所述周期性结构包括若干重复排列的周期单元，所述关键尺寸信息包括所述周期单元的横截面尺寸、所述前层结构标记与所述当层结构标记的套刻偏移量目标值、所述前层结构标记与所述当层结构标记之间的垂直距离； 基于小角X射线散射模型，结合所述套刻误差测量标记的形貌结构和所述关键尺寸信息，获取所述套刻偏移测量标记的形状因子，所述形状因子的计算过程满足如下公式： ， 其中，为所述套刻偏移测量标记的形状因子，F1为所述前层结构标记的第一形状因子，F2为所述当层结构标记的第二形状因子，和分别为散射矢量q沿方向x和方向z的分量，D为所述前层结构标记与所述当层结构标记的套刻偏移量目标值，S为所述前层结构标记与所述当层结构标记之间的垂直距离； 基于所述套刻偏移测量标记的形状因子，建立所述小角X射线入射至所述套刻偏移测量标记时的理论散射光强模型； 对所述理论散射光强模型进行调制并确定调制后的散射光强的高频调制项的极值位置为目标衍射级次位置处的峰值位置，所述峰值位置与所述目标衍射级次位置和所述套刻偏移量目标值之间满足线性关系； 根据所述峰值位置、所述目标衍射级次位置和所述套刻偏移量目标值之间的线性关系，基于同一衍射级次、不同套刻标记进行仿真测量或者基于不同衍射级次、同一套刻标记进行仿真测量计算在所述套刻偏移测量标记下的套刻误差。

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