思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司牛旭华获国家专利权
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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115800693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211658432.2，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法是由牛旭华设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法，所述浮轨电路用于为栅极驱动器供电，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连；第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间；电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压VREFREF，内阻为第一电阻R1；第二电阻R2及第二MOS管，电性连接于钳位节点与第二节点之间；其中，所述第一MOS管和第二MOS管同为PMOS管或NMOS管，第二电位和浮动电位之间的浮轨电压为栅极驱动器的供电电压。本发明的浮轨电路能够提供恒定的浮轨电压，该电压不随工艺、电压和温度的变化而变化。
本发明授权浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种浮轨电路，用于为栅极驱动器供电，其特征在于，所述浮轨电路包括： 第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连； 第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间； 电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压VREF，内阻为第一电阻R1； 第二电阻R2及第二MOS管，电性连接于钳位节点与第二电位之间； 其中，所述第一MOS管和第二MOS管同为PMOS管或NMOS管，第二电位和浮动电位之间的浮轨电压为栅极驱动器的供电电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园2-B304-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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