中科纳米张家港化合物半导体研究所赵迎春获国家专利权
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龙图腾网获悉中科纳米张家港化合物半导体研究所申请的专利一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211652164.3，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法是由赵迎春;熊敏;李付锦设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其在铟镓砷或磷化铟外延层生长过程中分步进行P型掺杂和N型掺杂，本发明的掺杂方法可以有效抑制锌掺杂的扩散效应同时由于掺杂所用温度较高，可以获得较高的材料质量，工艺难度低、成本低。
本发明授权一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤： 1衬底置于反应室内，利用MOCVD法在550℃-650℃的温度条件下在衬底上生长外延层； 2在生长铟镓砷或磷化铟外延层的过程进行P型掺杂，具体步骤如下： 21通入三族金属源和砷烷，同时通入四溴化碳，VIII的比值在10-150之间，四溴化碳流量控制在1e-5-9e-4摩尔分钟，持续2-5秒； 22关闭三族金属源1-2秒； 23再打开三族金属源，重复步骤21、223-10个周期； 3在生长铟镓砷或磷化铟外延层的过程进行N型掺杂， 31打开四溴化碳，流量控制在1e-5-2e-5摩尔分钟； 323-5秒后关闭四溴化碳，打开三族金属源和砷烷，打开锌源，锌源流量控制在1e-5-9e-5摩尔分钟，持续5-20秒； 33关闭锌源1-2秒； 4重复步骤32、33至铟镓砷或磷化铟外延层达到目标厚度； 5关闭锌源和四溴化碳，而后关闭三族金属源，在氮气保护下，升温至550℃-650℃，通三族金属源和锌源，持续生长8-20min，关闭锌源，原位退火后降至常温， 其中，所述锌源为二乙基锌。
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