上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司王大鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种晶圆关键尺寸的补偿方法、装置及制造系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211732697.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种晶圆关键尺寸的补偿方法、装置及制造系统是由王大鹏设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆关键尺寸的补偿方法、装置及制造系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆关键尺寸的补偿方法、装置及制造系统，该方法包括：获取前批晶圆产品的前批曝光能量值、前批曝光焦距和前批关键尺寸值；监测得到前批晶圆的光阻膜厚；当所述前批关键尺寸值不满足设定阈值时，利用所述光阻膜厚与晶圆的关键尺寸的对应关系，修正所述曝光焦距和所述曝光能量值，得到下一批晶圆产品的参考曝光焦距和参考曝光能量值；利用参考曝光焦距和参考曝光能量值，对下一批晶圆产品进行曝光。该方法用以对关键尺寸更好的补偿，提升产品良率。
本发明授权一种晶圆关键尺寸的补偿方法、装置及制造系统在权利要求书中公布了：1.一种晶圆关键尺寸的补偿方法，其特征在于，包括： 获取前批晶圆产品的前批曝光能量值、前批曝光焦距和前批关键尺寸值； 监测得到前批晶圆的光阻膜厚； 当所述前批关键尺寸值不满足设定阈值时，利用所述光阻膜厚与晶圆的关键尺寸的对应关系，修正所述曝光焦距和所述曝光能量值，得到下一批晶圆产品的参考曝光焦距和参考曝光能量值； 利用参考曝光焦距和参考曝光能量值，对下一批晶圆产品进行曝光。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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