国际商业机器公司D·吉尔获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利通过背侧蚀刻的超导Q度寿命和相干改善获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180038577.X，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权通过背侧蚀刻的超导Q度寿命和相干改善是由D·吉尔;M·桑博格;V·阿迪格;Y·马丁;H·佩克设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过背侧蚀刻的超导Q度寿命和相干改善在说明书摘要公布了：一种用于改进量子机械器件中的量子位的寿命和相干时间的方法，包括：提供具有形成在前侧上的至少一个量子位的衬底，该至少一个量子位具有电容器衬垫；以及在与该量子位相对的区域处从背侧去除衬底材料和或者在与该量子位相对的背侧区域处沉积超导金属层，以减少由于硅‑空气SA界面、金属‑空气MA界面或硅‑金属SM界面中的至少一个引起的射频电流损耗。
本发明授权通过背侧蚀刻的超导Q度寿命和相干改善在权利要求书中公布了：1.一种用于提高量子机械器件中的量子位的寿命和相干时间的方法，包括： 提供具有前侧和背侧的衬底，所述前侧具有形成在其上的至少一个量子位，所述至少一个量子位包括电容器衬垫；以及 在与所述至少一个量子位相对的区域处从所述衬底的背侧去除一定量的衬底材料，以减少由于硅-空气SA界面、金属-空气MA界面或硅-金属SM界面中的至少一个引起的射频电流损耗，以便增强所述至少一个量子位中的寿命T1和相干时间T2； 其中从所述衬底的所述背侧去除所述一定量的衬底材料包括去除所述衬底的所述背侧的区域中的所述一定量的衬底材料，以在所述至少一个量子位的电容器衬垫之间的间隙的附近形成沟槽。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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