中国科学院合肥物质科学研究院丁锐获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率的测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115855724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211671761.0，技术领域涉及：G01N5/00；该发明授权一种托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率的测量方法及系统是由丁锐;穆磊;刘牛先;鄢容;刘玉明;石晓钟;陈俊凌设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率的测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率的测量方法及系统。首先，通过低能中性粒子分析仪、石英晶体微天平测量磁阴影区中性粒子能谱、材料净腐蚀或净沉积速率。其次，基于石英晶体微天平的测量结果，先选择对应的溅射产额结合中性粒子能谱、固体角计算中性粒子对材料的总腐蚀速率，再确定对应的净腐蚀或净沉积速率的换算系数。最终，基于托卡马克装置中磁阴影区腐蚀沉积结果由中性粒子对材料腐蚀和杂质沉积竞争决定的理论，得到杂质的总沉积速率。本发明可以原位、实时准确测量托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率，帮助理解杂质沉积的物理机制，为未来聚变堆的安全运行提供支持。
本发明授权一种托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率的测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种托卡马克磁阴影区杂质总沉积速率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：托卡马克等离子体实验运行阶段，通过低能中性粒子分析仪测量目标磁阴影区的中性粒子能谱，石英晶体微天平测量目标磁阴影区的材料净腐蚀或者净沉积速率； 步骤S2：根据石英晶体微天平的测量结果确定中性粒子对材料总腐蚀速率的计算方法以及净腐蚀或者净沉积速率的换算系数； 步骤S3：当石英晶体微天平的测量结果为净腐蚀时，利用中性粒子对材料的总腐蚀速率减去该净腐蚀速率，得到最终的杂质总沉积速率；当石英晶体微天平的测量结果为净沉积时，利用中性粒子对材料的总腐蚀速率加上该净沉积速率，得到最终的杂质总沉积速率。
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