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龙图腾网获悉浙江正邦电子股份有限公司申请的专利一种晶闸管芯片及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211423777.X，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种晶闸管芯片及制作方法是由徐伟;项卫光;李有康;李晓明设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶闸管芯片及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶闸管芯片及制作方法，一种晶闸管芯片包括：钼片、绝缘胶膜层、阳极金属、阴极金属、门极金属、阳极P型层、N型基区、P型基区、阴极N型区和导电胶膜层；门极金属包括：中心门极金属和放大门极金属；阴极N型区：包括阴极发射N型区和放大门极N型区；P型基区、N型基区和阳极P型层顺序层叠排布；阳极金属设置于阳极P型层的下表面；阴极金属、中心门极金属和放大门极金属的厚度相同；在钼片的下表面对应放大门极金属处沉积绝缘胶膜层，对应阴极金属处沉积导电胶膜层。本发明的有益效果是：可以实现封装时放大门级与阴极隔离的目的，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。

本发明授权一种晶闸管芯片及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶闸管芯片，其特征在于，包括：钼片、绝缘胶膜层、阳极金属、阴极金属、门极金属、阳极P型层、N型基区、P型基区、阴极N型区和导电胶膜层；所述门极金属包括：中心门极金属和放大门极金属；所述阴极N型区：包括阴极发射N型区和放大门极N型区； 所述P型基区、所述N型基区和所述阳极P型层顺序层叠排布；所述阳极金属设置于所述阳极P型层的下表面；所述阴极N型区位于所述P型基区部分区域内且所述阴极N型区的上表面与所述P型基区上表面齐平；所述阴极金属位于所述阴极发射N型区之上且显露部分所述阴极发射N型区的上表面；所述中心门极金属位于所述P型基区上表面之上且不与所述放大门极N型区接触；所述放大门极金属位于所述P型基区表面之上且同时与所述P型基区和所述放大门极N型区接触； 所述阴极金属、所述中心门极金属和所述放大门极金属的厚度相同； 在所述钼片的下表面对应所述放大门极金属处沉积所述绝缘胶膜层，对应所述阴极金属处沉积所述导电胶膜层；通过压合工艺将所述钼片、所述绝缘胶膜层和所述导电胶膜层构成的整体压合至所述放大门极金属和所述阴极金属的上方使所述绝缘胶膜层的下表面接触所述放大门极金属，所述导电胶膜层的下表面接触所述阴极金属； 所述钼片、所述绝缘胶膜层和所述导电胶膜层构成的整体不覆盖所述中心门极金属。

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