中国科学院半导体研究所张高露获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于片上硅基的电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115933227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310060549.9，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权基于片上硅基的电光调制器是由张高露;刘思薇;付鑫;杨林设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于片上硅基的电光调制器在说明书摘要公布了：本公开提供一种基于片上硅基的电光调制器包括：输入波导；马赫曾德尔型调制单元，输入端与输入波导连接，马赫曾德尔型调制单元包括调制臂，调制臂的臂长小于2mm以增大输出的光信号的带宽；非线性开关单元包括：第一1×2分束器，与马赫曾德尔型调制单元的输出端连接；第一功率臂，与第一1×2分束器的一个输出端连接；第二功率臂，与第一1×2分束器的另一个输出端连接，第二功率臂的功率高于第一功率臂的功率；2×2耦合器包括第一输出端口和第二输出端口，2×2耦合器的两个输入端分别连接第一功率臂和第二功率臂，2×2耦合器被构造成响应于克尔效应相位差的增大，以使第一输出端口输出的调制信号的消光比增大。
本发明授权基于片上硅基的电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于片上硅基的电光调制器，其特征在于，包括： 输入波导，用于输入光信号； 马赫曾德尔型调制单元，输入端与所述输入波导连接，所述马赫曾德尔型调制单元包括调制臂，所述调制臂的臂长小于2mm以增大输出的光信号的带宽；以及 非线性开关单元，包括： 第一1×2分束器，与所述马赫曾德尔型调制单元的输出端连接； 第一功率臂，与所述第一1×2分束器的一个输出端连接，所述第一功率臂适用于抑制调制后的光信号的克尔效应； 第二功率臂，与所述第一1×2分束器的另一个输出端连接，所述第二功率臂的功率高于所述第一功率臂的功率，以使所述第二功率臂的克尔效应大于所述第一功率臂的克尔效应，进而产生克尔效应相位差； 2×2耦合器，包括第一输出端口和第二输出端口，所述2×2耦合器的两个输入端分别连接所述第一功率臂和所述第二功率臂，所述2×2耦合器被构造成响应于所述克尔效应相位差的增大，以使所述第一输出端口输出的调制信号的消光比增大。
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