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龙图腾网获悉广微集成技术(深圳)有限公司申请的专利一种VDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211624967.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种VDMOS器件是由单亚东;谢刚;胡丹设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明公开了VDMOS器件，包括：衬底层；外延层，生长于衬底层的一侧；P‑body层，设置于外延层远离衬底层的一侧；欧姆接触层，设置于P‑body层远离外延层的一侧；源极电子层，与欧姆接触层并列，设置于P‑body层远离外延层的一侧；第一金属层，覆盖欧姆接触层与源极电子层；沟道，设置于第一金属层与外延层之间，沟道靠近源极电子层远离欧姆接触层的一侧；栅极多晶硅层，设置于沟道；源极多晶硅层，设置于沟道内栅极多晶硅层远离第一金属层的一侧；源极多晶硅层的尾端通过第二金属层与第一金属层连接，第二金属层为肖特基势垒金属；栅极多晶硅层的尾端通过第三隔离层与源极多晶硅层的尾端隔离。采用本发明，使用新的隔离结构，提高了抗ESD能力。

本发明授权一种VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS器件，其特征在于，包括： 衬底层，为N型重掺杂层； 外延层，生长于所述衬底层的一侧，所述外延层为N型轻掺杂层； P-body层，设置于所述外延层远离所述衬底层的一侧； 欧姆接触层，设置于所述P-body层远离所述外延层的一侧； 源极电子层，与所述欧姆接触层并列，设置于所述P-body层远离所述外延层的一侧； 第一金属层，覆盖所述欧姆接触层与所述源极电子层，且与所述欧姆接触层、所述源极电子层均电连接； 沟道，设置于所述第一金属层与所述外延层之间，所述沟道靠近所述源极电子层远离所述欧姆接触层的一侧； 栅极多晶硅层，设置于所述沟道，与所述第一金属层、所述P-body层、所述源极电子层均通过第一隔离层隔离； 源极多晶硅层，设置于所述栅极多晶硅层远离所述第一金属层的一侧，与所述外延层通过第二隔离层隔离； 所述栅极多晶硅层的头端与所述源极多晶硅层的头端平齐，所述源极多晶硅层的尾端通过第二金属层与所述第一金属层连接，所述第二金属层为肖特基势垒金属；所述栅极多晶硅层的尾端通过第三隔离层与所述源极多晶硅层的尾端隔离，且所述第三隔离层在第一金属层至衬底层方向的深度要大于所述栅极多晶硅层的深度； 所述栅极多晶硅层为P型重掺杂层，所述源极多晶硅层为N型轻掺杂层。

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