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纳克微束(北京)有限公司何伟获国家专利权

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龙图腾网获悉纳克微束(北京)有限公司申请的专利一种光电探测器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115963133B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211686334.X,技术领域涉及:G01N23/2206;该发明授权一种光电探测器是由何伟;胡继闯;陈志明;张景龙;张子豪;牛辉设计研发完成,并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种光电探测器在说明书摘要公布了:本发明涉及一种光电探测器,属于光电探测器技术领域,能够实现阴极荧光信号与电子信号同时探测,且极大提高荧光信号的收集效率;该光电探测器包括电子源、加速电极、物镜、反射光栅、CL荧光探测器和BSE探测器;所述电子源设置在顶部正中产生电子束;所述加速电极设置在电子源下方;所述物镜设于加速电极的下方;所述BSE探测器设置在物镜的下方;待扫描的样品设置在最底部;所述加速电极、所述物镜和所述BSE探测器同轴设置,电子束依次穿过三者后照射在样品的表面;所述BSE探测器接收经样品反射的背散射电子;所述反射光栅和所述CL荧光探测器均设置在BSE探测器的外围,并将经样品上表面传来的光子反射到CL荧光探测器上。

本发明授权一种光电探测器在权利要求书中公布了:1.一种光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括电子源、加速电极、物镜、反射光栅、CL荧光探测器和BSE探测器; 所述电子源设置在顶部正中,产生垂直向的电子束;所述加速电极设置在所述电子源下方;所述物镜设于所述加速电极的下方;所述BSE探测器设置在所述物镜的下方;待扫描的样品设置在最底部; 所述加速电极、所述物镜和所述BSE探测器同轴设置,所述电子束依次穿过所述加速电极、所述物镜、所述BSE探测器后照射在所述样品的表面; 所述BSE探测器接收经样品反射的背散射电子; 所述反射光栅和所述CL荧光探测器均设置在所述BSE探测器的外围,并将经所述样品上表面传来的光子反射到所述CL荧光探测器上; 所述反射光栅设置在所述物镜下方、所述BSE探测器上方;所述CL荧光探测器设置在所述反射光栅下方; 所述反射光栅的反射面上开设有若干弧形面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人纳克微束(北京)有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区经济技术开发区凉水河二街8号院7号楼4层101-402(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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