中国科学院物理研究所党剑臣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111187450.2，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法是由党剑臣;王灿;许秀来设计研发完成，并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种利用铁磁镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，利用激光脉冲沉积法制备镧锰氧LMO薄膜；所述LMO薄膜的结构式为LaMnO33，厚度为30nm到40nm；制备薄层二硫化钨WS22；薄层WS22为1‑10层WS22分子厚度的WS22材料；通过干法转移的方法将所述薄层WS22转移至所述LMO薄膜上，WS22分子通过范德华力转移到所述LMO薄膜上，形成LMO衬底上具有单层WS22分子的材料结构，从而利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度；其中，所述LMO衬底上具有单层WS22分子的材料结构为单层WS22LMO范德华异质结。
本发明授权一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，所述方法包括： 利用激光脉冲沉积法制备镧锰氧薄膜；所述镧锰氧薄膜的结构式为LaMnO3，厚度为30nm到40nm； 制备薄层二硫化钨；薄层二硫化钨为1-10层二硫化钨分子厚度的二硫化钨材料； 通过机械剥离法将所述薄层二硫化钨转移至所述镧锰氧薄膜上，二硫化钨分子通过范德华力转移到所述镧锰氧薄膜上，形成镧锰氧衬底上具有单层二硫化钨分子的材料结构，从而利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度；其中，所述镧锰氧衬底上具有单层二硫化钨分子的材料结构为单层二硫化钨镧锰氧范德华异质结； 所述方法还包括测试单层二硫化钨谷极化度；所述测试的测试温度为4.2K，所述测试的装置为微区共聚焦荧光测试装置，激发方式为非共振激发，激发光为532nm连续激光，所述激发光的功率为1-3mW。
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