广东省大湾区集成电路与系统应用研究院连成洲获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种芯片稳定性的自检测方法及其电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115980551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310085094.6,技术领域涉及:G01R31/28;该发明授权一种芯片稳定性的自检测方法及其电路是由连成洲;张建华;王云;陆超;郑凯华;李荣荣设计研发完成,并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片稳定性的自检测方法及其电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种芯片稳定性的自检测方法及其电路,方法由芯片工作前自发执行,包括:对芯片内部的LDO电路输出端进行采样,并根据采样得到的LDO电路输出,得到所述LDO电路的脉冲响应;根据所述脉冲响应,计算得到所述LDO电路的阻尼比,并根据所述阻尼比,计算得到所述LDO电路的相位裕度;当所述相位裕度大于预设角度时,则判断所述LDO电路处于稳定状态;当所述相位裕度小于或等于预设角度时,则判断所述LDO电路处于非稳定状态。本发明实施例解决现有技术中芯片电源可靠性低、芯片测试成本高、芯片测试效率及准确率低下的技术问题。
本发明授权一种芯片稳定性的自检测方法及其电路在权利要求书中公布了:1.一种芯片稳定性的自检测方法,其特征在于,由芯片工作前自发执行,包括: 对芯片内部的LDO电路输出端进行采样,并根据采样得到的LDO电路输出,得到所述LDO电路的脉冲响应; 根据所述脉冲响应,计算得到所述LDO电路的阻尼比,并根据所述阻尼比,计算得到所述LDO电路的相位裕度; 当所述相位裕度大于预设角度时,则判断所述LDO电路处于稳定状态; 当所述相位裕度小于或等于预设角度时,则判断所述LDO电路处于非稳定状态; 其中,在所述对芯片内部的LDO电路输出端进行采样之前,还包括: 将芯片内部的线性反馈移位寄存器的输出值输入至所述LDO电路中; 当所述线性反馈移位寄存器的输出值为高电平,则所述LDO电路的输入电压为第一基准电压,并将所述线性反馈移位寄存器生成的伪随机序列输入至所述LDO电路中; 当所述线性反馈移位寄存器的输出值为低电平,则所述LDO电路的输入电压为第二基准电压,并将所述线性反馈移位寄存器生成的伪随机序列输入至所述LDO电路中。
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