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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构的制造与测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604098.6，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体结构的制造与测量方法是由郑正达;黄祖文设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造与测量方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种多个半导体结构的制造与测量方法。该方法包括下列步骤：接收一晶圆，该晶圆具有多个晶粒；分别形成该多个半导体结构在每一个晶粒的多个区块中，其中每一个半导体结构具有一第一鳍片阵列以及一第二鳍片阵列，该第二鳍片阵列位在该第一鳍片阵列上方；在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移；以及依据该位移而确定该晶圆的一状态。

本发明授权半导体结构的制造与测量方法在权利要求书中公布了：1.一种制造及测量多个半导体结构的方法，包括： 接收一晶圆，该晶圆具有多个晶粒； 分别形成该多个半导体结构在每一个晶粒的多个区块中，其中每一个半导体结构具有一第一鳍片阵列以及一第二鳍片阵列，该第二鳍片阵列位在该第一鳍片阵列上方，其中，该第一鳍片阵列具有多个鳍片，包括彼此间隔开的第一鳍片至第N鳍片，并且该第二鳍片阵列具有多个鳍片，包括彼此间隔开的第一鳍片至第N鳍片，其中，当该第二鳍片阵列重叠在该第一鳍片阵列上时，该第一鳍片阵列的鳍片分别与该第二鳍片阵列的鳍片对齐； 当该第一鳍片阵列的第一鳍片和第N鳍片的顶部倾斜时，在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以通过纳米级的图案晶圆几何测量来获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移，并且以通过纳米级的图案晶圆几何测量来获得该第一鳍片阵列的第N鳍片和该第二鳍片阵列的第N鳍片之间的一位移；以及 在执行该图案晶圆几何测量之后，依据该位移而确定该晶圆的一状态； 其中当该位移大于一临界值时，则确定该晶圆的该状态为一未通过状态，而当该位移并未大于该临界值时，则确定该晶圆的该状态为一通过状态；当该晶圆的该状态为该未通过状态时，则从一批晶圆中移除该晶圆；以及当该晶圆的该状态为该通过状态时，则该晶圆保留在该批晶圆中。

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