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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116029343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211653509.7，技术领域涉及：G06N3/049；该发明授权基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络实现方法是由项水英;张钰娜;韩亚楠;郭星星;张雅慧;郝跃设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络实现方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络实现方法，模拟光突触阵列的特性，构建替换光突触阵列的PMRR单元；模拟光脉冲神经元的光脉冲传输特性，对PMRR单元进行优化，获得优化的PMRR单元；使用PMRR单元模拟光突触阵列，使用优化的PMRR单元模拟光脉冲神经元，以及波分复用选择器模拟分束器，获得基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络。本发明设计的PMRR单元能对输入脉冲实现光突触的加权计算功能，也可以可实现光子脉冲神经元的功能，二者集成实现光子脉冲神经网络的可行性。相比于现有技术，本发明具有更易实现、更易集成、复杂度低、可扩展性强等特点。

本发明授权基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络实现方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络实现方法，其特征在于，包括： 步骤1：获取光脉冲神经网络的结构信息； 其中，所述结构信息包括所述光脉冲神经网络的神经元组成、神经元的连接关系以及不同组成单元之间的连接关系，所述光脉冲神经网络包括输入层、合束器、分束器、光突触阵列以及输出层； 步骤2：模拟所述光突触阵列中光突触控制光透过率的大小，构建替换所述光突触阵列的PMRR单元； 其中，所述PMRR单元包括MRR单元以及PCM相变单元，所述PCM相变单元位于所述MRR单元的环形波导上； 步骤3：模拟输入层以及输出层中光脉冲神经元的光脉冲传输特性，对所述PMRR单元进行优化，获得优化的PMRR单元； 步骤4：使用所述PMRR单元模拟所述光突触阵列中的光突触权重，使用优化的PMRR单元模拟输出层以及输出层的光脉冲神经元，以及由MRR单元构建的波分复用选择器模拟所述合束器，获得基于MRR和相变材料的光子脉冲神经网络；所述MRR单元由2个直波导和1个环形波导构成，环形波导位于2个直波导中间，一个直波导为输入端波导一个为输出端波导；相比于未优化前的PMRR单元，优化后的PMRR单元还包括设置在PCM相变单元上的控制直波导，所述控制直波导用于写入光脉冲，控制输入端波导的探测脉冲被检测的时机，以输出端波导输出峰值信号，从而实现输入层以及输出层中的脉冲神经元的功能。

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