西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学冯欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310034181.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法是由冯欣;赵江涵;周弘;张苇杭;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了增强型的Ga22O33器件难以制作实现的问题。晶体管包括逐层连接的衬底层、沟道层和电极层。沟道采用机械剥离法或外延法制作Ga22O33薄膜得到，相比于其他制备方法简单易操作，在此基础上，衬底能够在大范围内选择具备良好兼容性的材料，基于电荷存储栅的结构对沟道电导的影响极小，二维铁电栅作为电荷存储栅，利用其面内、面外自发的极化效应收集沟道载流子并耗尽沟道，实现增强型的Ga22O33器件。
本发明授权一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管，其特征在于：包括逐层连接的衬底层1、沟道层2和电极层，所述电极层包括栅电极模块、源电极6和漏电极7，所述栅电极模块设置于沟道层2的顶面，所述源电极6和漏电极7设置于栅电极模块的相对两侧并与沟道层2的顶面连接，所述栅电极模块包括电荷隧穿层3、电荷存储栅4和栅电极5，所述电荷隧穿层3设置于沟道层2的顶面，所述栅电极5设置于电荷隧穿层3的顶面，所述电荷存储栅4嵌设于电荷隧穿层3和栅电极5之间，其中二维氧化镓作为沟道层2，铁电栅薄膜作为电荷存储栅4。
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