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纳克微束(北京)有限公司何伟获国家专利权

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龙图腾网获悉纳克微束(北京)有限公司申请的专利一种双内置复合结构的探测系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116072494B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310060494.1,技术领域涉及:H01J37/244;该发明授权一种双内置复合结构的探测系统是由何伟;胡继闯;陈志明;张景龙;张子豪;张月新设计研发完成,并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

一种双内置复合结构的探测系统在说明书摘要公布了:本发明涉及一种双内置复合结构的探测系统,属于电子显微镜技术领域,能够有效地将电子探测、EDS探测、荧光探测结合,可以达到对样品同一位置的多探测器同时探测的效果,并且高效收集信号,得到高质量图像信息;该系统包括:电子源、电子加速电极、物镜、EDS探测器、直接电子探测器、样品、样品台和控制单元;所述EDS探测器和所述直接电子探测器均以斜插方式设置在物镜内部,所述EDS探测器和所述直接电子探测器的探头均靠近物镜的探测口处;所述样品台、所述EDS探测器、所述直接电子探测器、所述电子源和所述物镜均与所述控制单元连接;物镜的内部极靴上设有打拿级,物镜探测口的内外两环壁的底端均设有反射锥。

本发明授权一种双内置复合结构的探测系统在权利要求书中公布了:1.一种双内置复合结构的探测系统,其特征在于,所述系统包括:电子源、电子加速电极、物镜、EDS探测器、直接电子探测器、样品、样品台和控制单元; 所述电子源设于顶部正中,所述电子加速电极设于所述电子源下方,所述物镜设于所述电子加速电极下方,所述样品设于所述物镜下方;所述电子源产生的电子束依次经过电子加速电极和所述物镜后到达所述样品的表面; 所述EDS探测器和所述直接电子探测器均以斜插方式设置在所述物镜内部,所述EDS探测器和所述直接电子探测器的探头均靠近所述物镜的探测口处; 所述样品置于所述样品台上;所述样品台、所述EDS探测器、所述直接电子探测器、所述电子源和所述物镜均与所述控制单元连接; 所述物镜的内部极靴上设有打拿级,所述物镜探测口的内极靴的底端设有第一反射锥,所述物镜探测口的外极靴的底端设有第二反射锥; 所述第一反射锥包括板状段和锥状段,所述第二反射锥为锥状,所述第一反射锥和所述第二反射锥的底端处于同一高度; 所述EDS探测器和或所述直接电子探测器的尾端与伸缩结构连接,且跟随所述伸缩结构的伸缩动作斜向位移; 所述伸缩结构与所述控制单元连接; 所述EDS探测器设有准直器和电子捕集阱,所述准直器和所述电子捕集阱均设置在探头端,且所述准直器位于最外端; 所述EDS探测器的最前端设有能够反射电子的反射材料膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人纳克微束(北京)有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区经济技术开发区凉水河二街8号院7号楼4层101-402(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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