之江实验室高阳获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种双入双出模式转换器及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116088096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582802.9，技术领域涉及：G02B6/14；该发明授权一种双入双出模式转换器及设计方法是由高阳;储涛设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双入双出模式转换器及设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双入双出模式转换器及设计方法，涉及微纳光电子元器件技术领域，包括二氧化硅衬底、顶层硅和低折射率材料包层，顶层硅包括第一输入波导、第二输入波导、模式转换区域、第一输出波导和第二输出波导，其中第一输入波导、第二输入波导通过模式转换区域分别与第一输出波导、第二输出波导相连接，模式转换区域被划分为M×N个矩形单元，矩形单元的状态为刻蚀或不刻蚀，刻蚀深度与顶层硅的厚度相同，其中矩形单元的状态通过品质因子设置。器件基于逆向设计通过对模式转换区域的合理划分和计算，在有限的尺寸上增加了模式转换的路径，实现了双入双出的模式转换功能。对于进一步提高模分复用系统的灵活性和集成度有着重要意义。
本发明授权一种双入双出模式转换器及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种双入双出模式转换器及设计方法，其特征在于，包括二氧化硅衬底、顶层硅和低折射率材料包层，所述顶层硅包括第一输入波导、第二输入波导、模式转换区域、第一输出波导和第二输出波导，其中所述第一输入波导通过所述模式转换区域与所述第一输出波导相连接，所述第二输入波导通过所述模式转换区域与所述第二输出波导相连接，所述模式转换区域被划分为M×N个矩形单元，所述矩形单元的状态为刻蚀或不刻蚀，刻蚀深度与顶层硅的厚度相同，当所述矩形单元处于刻蚀状态时，内部材料为低折射率材料；当所述矩形单元处于不刻蚀状态时，内部材料为硅；其中所述模式转换区域中矩形单元的状态通过品质因子设置； 其中，所述第一输入波导和第二输入波导仅支持TE0模式通过，第一输出波导和第二输出波导同时允许TE0和TE1模式通过。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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