意法半导体股份有限公司D·朱斯蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有改进的膜振荡阻尼的MEMS超声换能器器件及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116140172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211449389.9，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权具有改进的膜振荡阻尼的MEMS超声换能器器件及其制造工艺是由D·朱斯蒂;M·费雷拉;L·滕托里设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进的膜振荡阻尼的MEMS超声换能器器件及其制造工艺在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及去除所述半导体本体的从所述第二表面向所述第二腔室的一个或多个相应的选择性部分。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。
本发明授权具有改进的膜振荡阻尼的MEMS超声换能器器件及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种MEMS超声换能器MUT器件，其特征在于，包括： 半导体材料的半导体本体，具有第一主表面和第二主表面并且集成第一MUT元件，所述第一MUT元件包括： 第一腔室，在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中； 膜，由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成； 压电元件，在所述膜上方在所述半导体本体的所述第一主表面上延伸； 第二腔室，在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中； 中心流体通道，从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第一腔室并且横穿所述第二腔室；以及 一个或多个横向流体通道，从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室， 其中所述一个或多个横向流体通道、所述中心流体通道和所述第二腔室限定流体再循环路径、所述流体再循环路径将所述第一腔室与所述半导体本体的外部流体连接。
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