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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116191202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310081116.1，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法是由张英杰;李勇;金运姜设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法，包括以下步骤：S1：确定具体In组分总的变化范围和In线性变化的总厚度，并依据In组分的变化速率计算出回退层的回退组分；S2：将InGaAs线性渐变缓冲层进行分层设计，确定整个分层的厚度；S3：确定In组分在实际外延后的数值，根据实际外延后的数值调整步骤S2中In组分和厚度；S4：确定InGaAs各渐变分层的生长速率；S5：根据分层的厚度和InGaAs各渐变分层的生长速率，外延InGaAs分层线性渐变的异变缓冲层。本发明实现了InxxGa1‑x1‑xAs线性渐变缓冲层中In组分的线性变化，同时减少了源炉温度的变化而使In和Ga生长速率变化不确定的影响。

本发明授权一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法在权利要求书中公布了：1.一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：确定具体In组分总的变化范围和In线性变化的总厚度，并依据In组分的变化速率计算出回退层的回退组分； S2：将InGaAs线性渐变缓冲层进行分层设计，确定整个分层的厚度； S3：确定In组分在实际外延后的数值，根据实际外延后的数值调整步骤S2中In组分和厚度； S4：确定InGaAs各渐变分层的生长速率； S5：根据分层的厚度和InGaAs各渐变分层的生长速率，外延InGaAs分层线性渐变的异变缓冲层； 其中，步骤S2的具体过程为：将In组分线性渐变层进行分层，保证每层In组分变化为预设值，再根据渐变的In组分的数量确定整个分层的厚度； 步骤S3具体过程为： 首先将步骤S2中In组分的各个节点数值进行阶梯渐变外延，即通过固定Ga束流不变，改变In的束流来改变In组分的占比，每个In组分的InGaAs外延预设厚度，In组分越高，外延时的温度需要越低； 接着，将外延后的InGaAs阶梯渐变层做XRD和SEM表征，确定其外延的实际In组分和外延厚度； 最后，根据实际的数值再调整步骤S2中设计的In组分和厚度； 步骤S5的具体过程为：各个分层的Ga束流保持一致，每个分层的In源炉根据In组分的变化情况，通过MBE设备自身可设置的线性温度变化来保证In组分的线性改变；最后在所有InGaAs分层线性缓冲层外延完毕后再根据计算所得的退回组分的百分比外延一层In组分退回的InGaAs层；自此，InGaAs分层线性渐变的缓冲层就外延完毕。

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