CMC材料股份有限公司B·雷斯获国家专利权
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龙图腾网获悉CMC材料股份有限公司申请的专利用于基于碳的膜的选择性抛光的基于氧化硅的浆料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180063821.8，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权用于基于碳的膜的选择性抛光的基于氧化硅的浆料是由B·雷斯;F·孔洛;M·莫罗;黄禾琳设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于基于碳的膜的选择性抛光的基于氧化硅的浆料在说明书摘要公布了：本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：a氧化硅研磨剂、b表面活性剂、c铁阳离子、d任选地配体、及e水，其中该氧化硅研磨剂在该化学机械抛光组合物中具有负ζ电位。本发明还提供一种使用所述组合物来化学机械地抛光基板、尤其是包含基于碳的膜的基板的方法。
本发明授权用于基于碳的膜的选择性抛光的基于氧化硅的浆料在权利要求书中公布了：1.用于包含基于碳的膜的基板的化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物包含： a0.001重量%至10重量%的胶体氧化硅研磨剂； b表面活性剂，其中该表面活性剂是阳离子型表面活性剂或阴离子型表面活性剂，其中该阳离子型表面活性剂包含季铵盐，以及，该阴离子型表面活性剂选自烷基磺酸、烷基磺酸盐、芳基磺酸、芳基磺酸盐、烷基芳基磺酸、烷基芳基磺酸盐及其组合； c1ppm至100ppm的铁阳离子； d任选地配体；及 e水， 其中该抛光组合物具有1至7的pH，且其中该氧化硅研磨剂在该化学机械抛光组合物中具有-10mV或更小的ζ电位。
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