中北大学金丽获国家专利权
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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116242237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310249456.0，技术领域涉及：G01B7/02；该发明授权一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置是由金丽;李旺;钟毓杰;阮怡;李孟委设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置在说明书摘要公布了：本发明属于微位移检测装置技术领域，具体涉及一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置，包括永磁体基板、第一永磁体、第二永磁体、磁栅层结构、磁阻层，所述永磁体基板的中心处设有方形凹槽，所述永磁体基板的方形凹槽内镶嵌有第一永磁体和第二永磁体，所述磁栅层结构设置在第一永磁体和第二永磁体上，所述磁阻层设置在磁栅层结构上。本发明将磁栅结构与隧道磁阻传感元件相结合，合理利用各自优点，在保证抗干扰能力的同时又能实现高精度微位移的测量。并且本发明的磁栅是在硅片上电化学沉积一层镍，然后通过硅片下方一对磁性相反的永磁体对镍层进行磁化，从而在磁栅上表面空间产生一个高变化率磁场。
本发明授权一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置在权利要求书中公布了：1.一种基于磁栅结构的高精度磁阻微位移检测装置，其特征在于：包括永磁体基板1、第一永磁体2、第二永磁体3、磁栅层结构、磁阻层，所述永磁体基板1的中心处设有方形凹槽，所述永磁体基板1的方形凹槽内镶嵌有第一永磁体2和第二永磁体3，所述磁栅层结构设置在第一永磁体2和第二永磁体3上，所述磁阻层设置在磁栅层结构上；所述磁栅层结构包括磁栅基底4、N极磁化区5、S极磁化区6、磁栅7，所述磁栅基底4设置在第一永磁体2和第二永磁体3上，所述磁栅基底4上设置有N极磁化区5和S极磁化区6，所述磁栅7设置在N极磁化区5和S极磁化区6之间；所述磁阻层包括磁阻基底8、磁阻元件9、磁阻引线10、测试电极Pad11，所述磁阻基底8设置在磁栅基底4上，所述磁阻元件9设置在磁阻基底8上，所述磁阻元件9通过磁阻引线10与测试电极Pad11电性连接。
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