西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)王殿获国家专利权
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龙图腾网获悉西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)申请的专利侧开电阻式碳化硅单晶生长炉获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116288720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310173956.0,技术领域涉及:C30B29/36;该发明授权侧开电阻式碳化硅单晶生长炉是由王殿;郭帝江;靳丽岩;武欣彤;师开鹏;王宏杰设计研发完成,并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本侧开电阻式碳化硅单晶生长炉在说明书摘要公布了:本发明属于单晶生长设备技术领域,具体涉及侧开电阻式碳化硅单晶生长炉,包括框架,框架上安装有生长炉体,生长炉体包括的外侧壁上焊接有铰接耳,铰接耳通过铰接轴连接有炉体门;生长炉体的内部具有分体式热场结构,分体式热场结构包括热场主体和楔形的热场保温部件。通过将生长炉体的结构进行设计,将上下出料的方式更改为侧出料方式,针对石墨坩埚取放的不便进行全新设计,采用侧开式的取放料操作可以保证石墨坩埚对于加热区的相对位置。采用侧开式炉门开闭机构,有效地解决了石英感应及传统电阻式生长炉的难以清洗的特点;便于炉体的日常维护,有效地减小了由于生长环境污染引起的生长质量问题。
本发明授权侧开电阻式碳化硅单晶生长炉在权利要求书中公布了:1.侧开电阻式碳化硅单晶生长炉,其特征在于,包括框架,所述框架上安装有生长炉体,所述生长炉体包括的外侧壁上焊接有铰接耳,所述铰接耳通过铰接轴连接有炉体门; 所述生长炉体的内部具有分体式热场结构,所述分体式热场结构包括热场主体和楔形的热场保温部件,所述热场主体安装于所述生长炉体的中部,所述热场主体的两侧分别开设有楔形槽,所述热场主体上放置有石墨坩埚,所述热场保温部件固定于所述炉体门的内侧上,所述热场保温部件的两侧分别具有与所述楔形槽配合的楔形凸起; 所述石墨坩埚的下方安装有石墨加热器,所述石墨加热器连接电阻加热电源、石墨加热器和控制器,所述控制器连接有高温红外探测器,所述高温红外探测器用于检测石墨坩埚的温度,并将温度信号传输至所述控制器,所述控制器通过所述电阻加热电源控制所述石墨加热器的输入功率; 在低温段1000度以下,采用开环恒功率方式,控制器通过通讯的方式向电阻加热电源参数写入功率数值,实现系统的加热控制;在高温段1000度~2500度,高温红外探测器作为温度传感器参与系统的反馈闭环控制,高温红外探测器、电阻加热电源、石墨加热器和石墨坩埚组成恒流闭环控制系统,结合功率模糊控制技术实现高温段的热场温度控制。
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