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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116295183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310273807.1，技术领域涉及：G01B21/02；该发明授权基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法是由邓光伟;郭孟林;方嘉伟;陈俊帆;周强;王浟;宋海智;王志明设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于CrPS44薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法，包括：衬底，CrPS44薄膜，衬底包括Si基底、SiO22层、Si33N44层、Ti和Au复合层；Ti和Au复合层、Si33N44层、SiO22层的中部设有凹槽，凹槽底部设有Ti和Au复合层构成的电极；CrPS44薄膜的中间部分悬浮于所述凹槽上方；在4k的温度下，CrPS44薄膜机械振子具有高达85～93dB的宽动态范围和高达3000‑4500的品质因子，传感装置的位移和质量灵敏度分别为14～18fmHz1212和0.9‑1.7yg，这相当于一个质子或一个氢原子的质量，从而开辟了在未来的惯性质谱测量中区分不同化学元素的可能性。超高质量灵敏度的CrPS44机械振子为质谱、磁力计和吸附实验提供了新的机会。

本发明授权基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CrPS4薄膜机械振子的位移和质量传感装置，其特征在于，包括：衬底，以及衬底上方的CrPS4薄膜，衬底包括Si基底5、Si基底5上方的SiO2层4、SiO2层4上方的Si3N4层3、Si3N4层3上方的Ti和Au复合层2；Ti和Au复合层2、Si3N4层3、SiO2层4的中部设有一个凹槽，凹槽底部设有Ti和Au复合层构成的电极6；CrPS4薄膜的两侧固定于最上方的Ti和Au复合层2的上表面，其中间部分悬浮于所述凹槽上方； 把悬浮的CrPS4薄膜视为机械振子，当CrPS4薄膜机械振子受力或加载于薄膜上的质量变化时，便会发生机械振动；当激光照射到CrPS4薄膜时，一部分被反射回来，另一部分穿透CrPS4薄膜并在底部衬底面上发生反射，继而两部分反射信号产生干涉图样，干涉信号随着CrPS4薄膜与衬底之间真空间隙深度的变化而变化；由此产生的反射光强度变化由光电探测器检测，并使用锁相放大器记录；激光通过调控光场来检测CrPS4薄膜机械振子的谐振频率和品质因子，通过CrPS4薄膜机械振子的频移响应来实现对质量或受力导致的位移的传感；传感的原理是：由于受力或加载于薄膜上的质量变化导致CrPS4薄膜机械振子的机械特性发生变化，从而引起该机械振子的谐振频率发生一定程度的偏移，即频移，通过建立微小质量扰动与频移响应之间的关系，实现微小的位移和质量传感和探测。

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