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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种零温度系数的低压欠压锁定电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116301171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111575055.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种零温度系数的低压欠压锁定电路及方法是由章雨一;于翔;肖飞设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种零温度系数的低压欠压锁定电路及方法在说明书摘要公布了：一种零温度系数的低压欠压锁定电路，其特征在于：所述电路包括分压单元、比较单元、反馈单元和输出单元；其中，所述分压单元，用于生成输入电压的分压；所述比较单元，与所述分压单元、输出单元分别连接，用于基于所述分压生成参考电压并将所述参考电压输出至所述输出单元中；所述反馈单元，用于将所述比较单元生成的正温度系数电流反馈至所述分压单元中，以抵消所述比较单元中晶体管电压的负温度系数；所述输出单元，基于零温度系数的所述参考电压确定输出欠压锁定信号。本发明方法简单、元件少，大幅降低了欠压锁定电路对于输入电压幅值的要求，使得欠压锁定信号可以在较小的参考电压下进行翻转，实现欠压保护。

本发明授权一种零温度系数的低压欠压锁定电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种零温度系数的低压欠压锁定电路，其特征在于： 所述电路包括分压单元、比较单元、反馈单元和输出单元；其中， 所述分压单元，用于生成输入电压的分压； 所述比较单元，与所述分压单元、输出单元分别连接，用于基于所述分压生成参考电压并将所述参考电压输出至所述输出单元中； 所述比较单元包括第一PMOS管Mp1、第二PMOS管Mp2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、偏置电阻R3； 其中，所述第一PMOS管Mp1源极接入输入电压Vin，栅极、漏极均与第一三极管Q1的集电极连接； 所述第二PMOS管Mp2的源极接入输入电压Vin，栅极与所述第一PMOS管的栅极、漏极连接，漏极与第二三极管Q2的集电极、输出单元的输入端连接； 所述第一三极管Q1的基极、所述第二三极管Q2的基极分别与所述分压单元的输出端连接； 所述第一三极管Q1的发射极经过偏置电阻R3后与所述第二三极管Q2的发射极同时接地； 所述反馈单元，用于将所述比较单元生成的正温度系数电流反馈至所述分压单元中，以抵消所述比较单元中晶体管电压的负温度系数； 所述输出单元，基于零温度系数的所述参考电压确定输出欠压锁定信号。

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