西安电子科技大学胡文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310072133.9，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管及其制作方法是由胡文;赵月;杨如森设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管及其制作方法，涉及有机电子技术领域，包括：获取聚丙烯薄膜；采用热膨化对聚丙烯薄膜进行处理，并将热膨化处理后的聚丙烯薄膜进行电晕极化处理，得到多孔聚丙烯压电驻极体薄膜；在多孔聚丙烯压电驻极体薄膜的表面蒸镀并五苯半导体层，形成有机半导体层；通过掩模板在有机半导体层上沉积源极和漏极；在至少部分源极的表面、至少部分漏极的表面、至少部分有机半导体层的表面、以及在源极和漏极之间蒸镀封装层，并采用导线将源极和漏极引出。本发明能够通过压电效应、场效应和半导体性质的耦合，将压电无源式触觉传感与晶体管信号放大功能优势集成，实现了人机直接、主动交互模式。
本发明授权压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种压电驻极体调控的无栅极有机薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括： 获取聚丙烯薄膜； 采用热膨化对所述聚丙烯薄膜进行处理，并将热膨化处理后的聚丙烯薄膜进行电晕极化处理，得到多孔聚丙烯压电驻极体薄膜； 在所述多孔聚丙烯压电驻极体薄膜的表面蒸镀并五苯半导体层，形成有机半导体层； 通过掩模板在所述有机半导体层上沉积间隔排布的源极和漏极； 在至少部分所述源极的表面、至少部分所述漏极的表面、至少部分所述有机半导体层的表面、以及在所述源极和所述漏极之间蒸镀封装层，并采用导线将所述源极和所述漏极引出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励