AGC株式会社长尾洋平获国家专利权
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龙图腾网获悉AGC株式会社申请的专利层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116330766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310250134.8，技术领域涉及：B32B17/00；该发明授权层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法是由长尾洋平;山田和夫;山内优;照井弘敏设计研发完成，并于2017-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法，提供一种抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组成的组中的至少1种金属元素。
本发明授权层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种固化性组合物，其是用于可剥离地贴合玻璃的固化性组合物，其中， 所述固化性组合物包含固化性有机硅和作为金属成分的锰元素， 所述金属成分的含量相对于所述固化性组合物形成的有机硅树脂层100质量份为0.001～1质量份， 所述固化性有机硅固化形成有机硅树脂，所述有机硅树脂包含选自由R3SiO12所示的有机甲硅烷氧基单元及RSiO32所示的有机甲硅烷氧基单元组成的组中的至少1种特定有机甲硅烷氧基单元，其中R表示氢原子或有机基团；相对于全部有机甲硅烷氧基单元，所述特定有机甲硅烷氧基单元的比率为80摩尔%以上，所述全部有机甲硅烷氧基单元意指R3SiO12所示的有机甲硅烷氧基单元、R2SiO22所示的有机甲硅烷氧基单元、RSiO32所示的有机甲硅烷氧基单元、及SiO2所示的有机甲硅烷氧基单元的合计。
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