上海新微技术研发中心有限公司王诗男获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116332115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111600749.6，技术领域涉及：G01M3/00；该发明授权微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法是由王诗男设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法，所述制造方法包括：1提供第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有用于容纳微电子器件的空腔；2提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，于所述第二基板上形成膜层：3使所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合，以使所述空腔与所述第二基板形成气密性空腔同时形成密封室，所述密封室由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。通过本发明的所述制造方法，可以对微电子器件进行封装的同时形成该气密性监测结构，所述制造方法具有制作简单，成本低等优势。
本发明授权微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法，其特征在于，包括： 1提供第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有用于容纳微电子器件的空腔，所述第一基板的第一主面上还形成有第一凹部； 2提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，于所述第二基板的第一主面上形成膜层： 3使所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合，以使所述空腔与所述第二基板形成气密性空腔，同时使所述第一凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据第一凹部与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形，所述气密性空腔与密封后的所述第一凹部的内部气压正相关。
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