中国科学院半导体研究所申超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利反射式介质手性超表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116338829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310273218.3，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权反射式介质手性超表面是由申超;李子瑛;蒋耐;高晓梅;史建伟;魏钟鸣;郑厚植设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本反射式介质手性超表面在说明书摘要公布了：本公开提供一种反射式介质手性超表面，包括：衬底层，用于物理支撑作用；反射层，设于衬底层上，用于接收和反射圆偏振光，其中，圆偏振光包括左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光；介质微纳结构层，设于反射层上，用于对左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光进行差异性散射，以调控圆偏振光的强度。介质微纳结构层包括：阵列排布的纳米棒单元，其中，行与行之间的纳米棒单元沿纳米棒单元的长轴方向错位排列且错位方向相同，构成二维斜方格子周期性排列结构。该反射式介质手性超表面提高了器件的输出效率，减轻了对加工工艺的要求，保障了器件的成品率和量产。
本发明授权反射式介质手性超表面在权利要求书中公布了：1.一种反射式介质手性超表面，其特征在于，包括： 衬底层，用于物理支撑作用； 反射层，设于所述衬底层上，用于接收和反射圆偏振光，其中，所述圆偏振光包括左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光； 介质微纳结构层，设于所述反射层上，用于对左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光进行差异性散射，以调控所述圆偏振光的强度； 所述介质微纳结构层包括：阵列排布的纳米棒单元； 在所述圆偏振光沿所述反射层表面的法线方向入射的情况下，所述左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光在所述反射层表面形成谐振时的电场分布不同，左旋方向的圆偏振光激发的电场在所述纳米棒单元的交错区域之间形成电场耦合模式，产生圆二色信号； 在所述纳米棒单元之间的错位距离变化时，所述圆二色信号出现连续频移，随着错位距离的逐渐增大，所述圆二色信号中的最大信号对应的波长连续减小； 行与行之间的所述纳米棒单元沿所述纳米棒单元的长轴方向错位排列且错位方向相同，构成二维斜方格子周期性排列结构。
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