南瑞联研半导体有限责任公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院姚二现获国家专利权
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龙图腾网获悉南瑞联研半导体有限责任公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种多芯片并联半桥型IGBT模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310335805.0，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权一种多芯片并联半桥型IGBT模块是由姚二现;陈英毅;骆健;杨金龙;童颜;黄全全设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片并联半桥型IGBT模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
本发明授权一种多芯片并联半桥型IGBT模块在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联半桥型IGBT模块，其特征在于，在覆铜陶瓷衬板上增设发射极信号铜层，将各个IGBT芯片的发射极电压信号直接从相应键合线蔟引出，引出的发射极电压信号通过发射极信号铜层传递给发射极信号端子； 在覆铜陶瓷衬板上增设上桥臂发射极信号铜层和下桥臂发射极信号铜层； 将上桥臂各个IGBT芯片的发射极电压信号直接从相应键合线蔟引出，上桥臂引出的发射极电压信号通过上桥臂发射极信号铜层传递给上桥臂发射极信号端子； 将下桥臂各个IGBT芯片的发射极电压信号直接从相应键合线蔟引出，下桥臂引出的发射极电压信号通过下桥臂发射极信号铜层传递给下桥臂发射极信号端子； 上桥臂发射极信号铜层位于上桥臂栅极信号铜层外侧。
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