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龙图腾网获悉北京直方光电科技有限公司申请的专利一种基于功率反馈控制的半导体激光侧面泵浦模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310264291.4，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种基于功率反馈控制的半导体激光侧面泵浦模块是由齐宝华设计研发完成，并于2023-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于功率反馈控制的半导体激光侧面泵浦模块在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于功率反馈控制的半导体激光侧面泵浦模块，包括半导体激光阵列、模块光学元件、状态监测模块、电流调节模块、以及数据存储处理通讯模块，采用多波长组合泵浦，使泵浦光光谱宽于激光晶体吸收峰，在半导体激光阵列退化时也能与激光晶体吸收峰良好匹配，采用荧光强度监测，并根据监测强度及其他模块状态监测数据对半导体激光阵列电流进行动态调节从而在半导体激光阵列转换效率下降时保持荧光强度稳定，同时，将半导体激光泵浦模块的各类状态监测数据存储，并与半导体激光阵列寿命曲线对比得出剩余寿命预测数据，传输到用户终端。本发明解决了传统泵浦模块长期稳定性不足的技术问题。

本发明授权一种基于功率反馈控制的半导体激光侧面泵浦模块在权利要求书中公布了：1.一种基于功率反馈控制的半导体激光侧面泵浦模块，包括半导体激光阵列、模块光学元件、状态监测模块、电流调节模块、以及数据存储处理通讯模块，其特征在于：半导体激光阵列的参数被状态监测模块实时测量，并传送给电流调节模块对半导体激光阵列的供电电流进行实时调节，从而保持发光功率稳定，同时，将数据发送给数据存储处理通讯模块对数据进行存储和处理，随后将处理结果发送到用户端； 所述的半导体激光阵列的整体光谱是由多个波长组合而成，组合成中心波长短于晶体吸收峰、半高线宽比单芯片半高线宽更宽的合成光谱；中心波长短于808nm； 所述的半导体激光阵列的每个波长点的阵列数量相近，以保证合成光谱带通范围内各波长强度相近； 所述的状态监测模块包括采用光电转换芯片对激光晶体产生的荧光强度监测； 每个光电探测器光学窗口前或窗口上镀有所需荧光波段的带通膜，即仅允许荧光光谱在波段波长范围的±1nm～±20nm光进入探测器；光电探测器对1064nm荧光强度进行监测； 所述的数据存储处理通讯模块将泵浦模块的运行状态数据进行存储、处理，根据寿命预测模型估算出剩余寿命； 所述的数据存储处理通讯模块能够根据泵浦模块状态监测数据、已使用时间以及半导体激光器寿命曲线，对泵浦模块剩余寿命进行预测。

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