三星SDI株式会社崔友赫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星SDI株式会社申请的专利圆柱形二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310033790.2，技术领域涉及：H01M50/184；该发明授权圆柱形二次电池是由崔友赫;李泰润;权俊焕;梁准虎;金锺九;朴贤锡;柳官铉;李东燮设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本圆柱形二次电池在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种圆柱形二次电池，所述圆柱形二次电池包括：圆柱形的罐，具有圆形的底部、从底部延伸的侧部、在侧部的一端处凹陷地形成的卷边部、通过将侧部的这一端弯曲而形成的压接部；电极组件，容纳在罐中；以及盖组件，密封罐且具有用于与罐绝缘的垫圈，其中，垫圈的在远离电极组件的方向上的上部具有比在电极组件的方向上的下部的厚度小的厚度。根据本公开的实施例，通过改善垫圈的形状，诸如上盖、安全排气孔等的部件不因用于组装盖组件在罐上形成压接部和卷边部时的压力而变形。因此，可以改善二次电池的稳定性。
本发明授权圆柱形二次电池在权利要求书中公布了：1.一种圆柱形二次电池，所述圆柱形二次电池包括： 圆柱形的罐，具有圆形的底部、从所述底部延伸的侧部、在所述侧部的一端处凹陷地形成的卷边部、通过将所述侧部的所述一端弯曲而形成的压接部； 电极组件，容纳在所述罐中；以及 盖组件，密封所述罐，并且包括在所述压接部与所述卷边部之间的上盖、设置在所述上盖下方的安全排气孔以及用于使所述安全排气孔和所述上盖与所述罐绝缘的垫圈， 其中，所述垫圈的在远离所述电极组件的方向上的上部具有比在所述电极组件的方向上的下部的厚度小的厚度， 其中，所述安全排气孔具有弯曲为与所述上盖的上表面紧密接触的边缘， 其中，所述垫圈具有环状的主体，所述垫圈的主体包括弯曲为围绕所述安全排气孔的所述边缘并且与所述边缘接触的内圆周表面以及从所述内圆周表面倾斜的倾斜表面，并且 其中，所述安全排气孔的所述边缘的上表面的弯曲位置对应于所述倾斜表面的开始位置。
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