中国科学院半导体研究所黄渝婕获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氮化镓基激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210103748.9，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权氮化镓基激光器是由黄渝婕;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓基激光器在说明书摘要公布了：本公开提供一种氮化镓基激光器，包括：N型电极1，所述N型电极1上形成有依次叠设的衬底2、缓冲层3、N型铝镓氮下限制层4、N型铝镓氮下波导层5、有源区6、P型铝镓氮上波导层7、P型电子阻挡层8、P型铝镓氮上限制层9、P型欧姆接触层10和P型电极11；其中，所述P型铝镓氮上限制层9为渐变掺杂，沿所述P型电子阻挡层8指向所述P型欧姆接触层10方向，渐变掺杂的浓度逐渐增大。氮化镓基激光器的阈值电流和输出功率得到明显改善，电光转换效率高。
本发明授权氮化镓基激光器在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基激光器，包括： N型电极1，所述N型电极1上形成有依次叠设的衬底2、缓冲层3、N型铝镓氮下限制层4、N型铝镓氮下波导层5、有源区6、P型铝镓氮上波导层7、P型电子阻挡层8、P型铝镓氮上限制层9、P型欧姆接触层10和P型电极11； 其中，所述P型铝镓氮上限制层9为镁的渐变掺杂，沿所述P型电子阻挡层8指向所述P型欧姆接触层10方向，镁的渐变掺杂浓度从2×1024cm3线性变化至2×1025cm3。
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