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龙图腾网获悉江西师范大学申请的专利一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116706662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310648646.X，技术领域涉及：H01S3/1118；该发明授权一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置是由王贤平;黎思瑜;姜艾杉;詹晏;史健;王文越;乔怡;桑明煌设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，包括泵浦光源、波分复用器、掺铒增益光纤、偏振控制器、偏振无关隔离器、铅锡碲可饱和吸收体和输出耦合器，其中铅锡碲可饱和吸收体的制备步骤为：在氟云母片上制得铅锡碲纳米片；制备PDMS薄膜片；以PDMS薄膜片作为转移介质，将铅锡碲纳米片转移到两个光纤跳线头之间，并将跳线头用法兰头固定，以制备得到铅锡碲可饱和吸收体。本发明的铅锡碲可饱和吸收体器件具有良好非线性光学效应和稳定性，该可饱和吸收体器件的超短脉冲序列强度高且均匀，性能稳定且属于微秒量级，在光纤激光装置中具有很好的应用潜力。

本发明授权一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置在权利要求书中公布了：1.一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于：包括泵浦光源1、波分复用器2、掺铒增益光纤3、偏振控制器4、偏振无关隔离器5、铅锡碲可饱和吸收体6和输出耦合器7；其中泵浦光源1的输出端与波分复用器2的第一输入端相连，波分复用器2的输出端与掺铒增益光纤3的一端相连，掺铒增益光纤3的另一端与偏振控制器4的一端相连，偏振控制器4的另一端与偏振无关隔离器5的输入端相连，偏振无关隔离器5的输出端与铅锡碲可饱和吸收体6的一端相连，铅锡碲可饱和吸收体6的另一端与输出耦合器7的输入端相连，输出耦合器7的80％输出端与波分复用器2的第二输入端相连； 所述铅锡碲可饱和吸收体的具体制备步骤为： 步骤S1、利用锡碲和铅碲粉末通过化学沉积方法在氟云母片上制得Pb1-XSnXTe纳米片； 步骤S2、在硅片上制备PDMS膜，将PDMS膜从硅片上剥离，得到PDMS薄膜片； 步骤S3、以PDMS薄膜片作为转移介质，将Pb1-XSnXTe纳米片转移到两个光纤跳线头之间，并将跳线头用法兰头固定，以制备得到铅锡碲可饱和吸收体； 所述步骤S1具体包括： 在单温区水平管式炉中，加入0.2gSnTe和0.2gPbTe粉末，粉末放置在距离管式炉中心8-12cm的上游位置，在距离管式炉中心10-15cm的下游位置添加氟云母片，然后设置管式炉内生长温度为650℃，同时以20sccm的恒定流量通入氩气，生长2-5分钟时间后，将炉膛自然冷却至室温，使得氟云母片上生长Pb1-XSnXTe纳米片； 所述步骤S3中以PDMS薄膜片作为转移介质，将Pb1-XSnXTe纳米片转移到两个光纤跳线头之间具体包括： 利用PDMS薄膜片机械剥离氟云母片上的Pb1-XSnXTe纳米片； 然后利用光学显微镜对氟云母片上脱落的铅锡碲纳米片进行光学表征测量，寻找厚度合适的Pb1-XSnXTe纳米片；利用光纤跳线头端面多次按压厚度合适的Pb1-XSnXTe纳米片，使得该Pb1-XSnXTe纳米片转移到光纤跳线头端面上，其中厚度合适指的是厚度为90-150nm范围内的Pb1-XSnXTe纳米片。

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