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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有高电容插入层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116706682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310378754.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有高电容插入层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;黄军;蔡鑫;张江勇;胡志勇设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高电容插入层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，具体涉及一种具有高电容插入层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间和或下波导层与下限制层之间具有至少一层高电容插入层；所述高电容插入层Nb22CTxx、Ti33C22Txx、Mo22Ti22C33Txx、In22Se33、AgInP22S66、MgIn22S44、CdIn22S44一种或任意组合构成；高电容插入层在扫描速率为10Vs时质量比电容为200‑1000Fg，该半导体激光元件的功率密度为7‑50mWcm22，形成强大的电容可使激光器的HBM人体模式ESD从1KV通过率95%以上提升至2KV通过率95%以上，并增强空穴的迁移率和空穴注入效率，提升激光器的量子效率。

本发明授权一种具有高电容插入层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有高电容插入层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：所述下限制层101与下波导层102之间设置有第一高电容插入层1071，和或上波导层104与电子阻挡层105之间设置有第二高电容插入层1072，所述第一高电容插入层1071和第二高电容插入层1072相同或相异，且均为Nb2CTx、Ti3C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、In2Se3、AgInP2S6、MgIn2S4、CdIn2S4中的两种以上组合形成的特定结构，所述特定结构为异质结结构、超晶格结构、量子阱结构、核壳结构、量子点结构中的任意一种或两种以上的组合，所述第一高电容插入层1071和第二高电容插入层1072在扫描速率为10Vs时质量比电容为200~1000Fg，该半导体激光元件的功率密度为7-50mWcm2。

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