石嘴山市新宇兰山电碳有限公司陈进斌获国家专利权
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龙图腾网获悉石嘴山市新宇兰山电碳有限公司申请的专利玻璃碳石墨电极的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116835595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310927901.4,技术领域涉及:C01B33/035;该发明授权玻璃碳石墨电极的制备方法是由陈进斌;杨平;张泽宇;于飞;陈杨;杨凯;王小军设计研发完成,并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本玻璃碳石墨电极的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了玻璃碳石墨电极的制备方法,包括:S1、制备石墨电极;S2、制备玻璃碳石墨电极:所述步骤S2具体包括:S21、在步骤S1制备的石墨电极表面涂覆酚醛树脂;S22、将步骤S21得到的涂覆酚醛树脂的石墨电极在常温下固化后得到包覆玻璃炭前驱体的石墨电极;S23、将步骤S22得到的包覆玻璃炭前驱体的石墨电极,在1000℃高温下无氧环境下进行炭化处理,得到玻璃碳石墨电极初级制品;S24、将步骤S23得到的玻璃碳石墨电极初级制品在2000℃~3000℃高温下热处理后,得到高纯玻璃碳石墨电极。本发明通过在石墨电极表面包覆玻璃碳层,可以在石墨电极表面形成保护层,阻止石墨电极中石墨在高温下向外溢出,从可降低多晶硅棒内碳元素含量。
本发明授权玻璃碳石墨电极的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种玻璃碳石墨电极的制备方法,其特征在于,包括: S1、制备石墨电极;S2、制备玻璃碳石墨电极: 所述步骤S2具体包括: S21、在步骤S1制备的石墨电极表面涂覆酚醛树脂; S22、将步骤S21得到的涂覆酚醛树脂的石墨电极在常温下固化后得到包覆玻璃炭前驱体的石墨电极; S23、将步骤S22得到的包覆玻璃炭前驱体的石墨电极,在1000℃高温下无氧环境下进行炭化处理,得到玻璃碳石墨电极初级制品; S24、将步骤S23得到的玻璃碳石墨电极初级制品在2000℃~3000℃高温下热处理后,得到高纯玻璃碳石墨电极; 所述步骤S1制备完成石墨电极后,在石墨电极表面制备HfC涂层,具体方法为: S11、制备石墨电极; S12、将按照摩尔比Hf:HfO2:NH4Cl为4:5:3的比例将Hf:HfO2:NH4Cl粉体材料均匀混合后放置在气相沉积炉内,将石墨电极悬挂于粉体上方,并在气相沉积炉内持续通入氢气,使炉内的无氧压力保持1.8kPa,将气相沉积炉缓慢加热到1500℃,使粉体产生的气体与石墨电极相互作用并在石墨电极表面生成HfC涂层。
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