乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司郭翔宇获国家专利权
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龙图腾网获悉乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司申请的专利高导电性钝化层及在高纵横比等离子体蚀刻期间形成其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116848215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180093364.7，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权高导电性钝化层及在高纵横比等离子体蚀刻期间形成其的方法是由郭翔宇;K·迪莫兹;南森·斯塔福德设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本高导电性钝化层及在高纵横比等离子体蚀刻期间形成其的方法在说明书摘要公布了：披露了用于在反应腔室中在高纵横比HAR蚀刻工艺期间在衬底中形成HAR结构的方法，该方法包括：使该衬底顺序地或同时暴露于包括氢氟烃或碳氟化合物的蚀刻剂和添加剂化合物的蒸气，该衬底具有设置在其上的膜和设置在该膜上的图案化的掩膜层；活化等离子体以产生活化的氢氟烃或碳氟化合物和活化的添加剂化合物；以及允许在该图案化的掩膜层未覆盖的该膜与该活化的氢氟烃或碳氟化合物和该活化的添加剂化合物之间进行蚀刻反应以从该图案化的掩膜层选择性地蚀刻该膜，由此形成HAR图案化的结构。
本发明授权高导电性钝化层及在高纵横比等离子体蚀刻期间形成其的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于在反应腔室中在高纵横比HAR蚀刻工艺期间在衬底中形成HAR图案化的结构的方法，其中所形成的该HAR图案化的结构具有在1:1与200:1之间的纵横比，该方法包括： 使该衬底顺序地或同时暴露于包括氢氟烃或碳氟化合物的蚀刻剂和添加剂化合物的蒸气，该衬底具有设置在其上的膜和设置在该膜上的图案化的掩膜层； 活化等离子体以产生活化的氢氟烃或碳氟化合物和活化的添加剂化合物；以及 允许在该图案化的掩膜层未覆盖的该膜与该活化的氢氟烃或碳氟化合物和该活化的添加剂化合物之间进行蚀刻反应以从该图案化的掩膜层选择性地蚀刻该膜，由此形成HAR图案化的结构， 其中在该HAR图案化的结构的侧壁上形成高导电性侧壁钝化层， 其中用该活化的氢氟烃或碳氟化合物和该活化的添加剂化合物形成的高导电性侧壁钝化层的电导率比用没有添加该活化的添加剂化合物的该活化的氢氟烃或碳氟化合物形成的高导电性侧壁钝化层的电导率高至少10％， 其中该氢氟烃或碳氟化合物是C4H2F6，和 其中该添加剂化合物选自CH3I、C4H9I、SiH2I2或C6H5I。
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