北京科技大学李时磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种第二相强化型高熵合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116904828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310951025.9，技术领域涉及：C22C30/00；该发明授权一种第二相强化型高熵合金及其制备方法是由李时磊;徐宁;王沿东;卢怀乐;黄煜博设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种第二相强化型高熵合金及其制备方法在说明书摘要公布了：一种第二相强化型高熵合金及其制备方法，属于金属材料技术领域。本发明高熵合金由CoCrNi作为基体，通过Al，Nb两种元素微合金化实现第二相强化的目的。所述高熵合金的原子比表达式为CoaaCrbbNiccAlddNbee，下标分别对应合金元素各自的原子百分比含量,其中，a＝20～35，b＝10～25，c＝35～50，d＝1～8，e＝1～8,a+b+c+d+e＝100。本发明所述高熵合金通过调整CoCrNi基体的元素配比和调整微量元素Nb的添加，促使块状亚微米D01919相的形成，所述高熵合金主要由FCC相和D01919相组成，富Nb的D01919第二相主要分布在FCC晶界，晶粒尺寸可以通过调控晶界第二相的含量控制在几微米到几十微米之间，所述高熵合金兼具良好的强度和塑性，可以满足现代工业对新型金属材料力学性能的要求。
本发明授权一种第二相强化型高熵合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种第二相强化型高熵合金，其特征在于所述高熵合金由CoCrNi中熵合金作为基体，通过Al，Nb两种元素微合金化实现第二相强化的目的，所述高熵合金的原子比表达式为CoaCrbNicAldNbe，下标分别对应合金元素各自的摩尔百分数,其中，a＝20at.％～35at.％，b＝10at.％～25at.％，c＝35at.％～50at.％，d＝1at.％～8at.％，e＝1at.％～8at.％,a+b+c+d+e＝100at.％。
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