思特威(上海)电子科技股份有限公司陈鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器、降低等效电容方法和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116996788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210404883.7,技术领域涉及:H04N25/70;该发明授权图像传感器、降低等效电容方法和存储介质是由陈鹏;李林设计研发完成,并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器、降低等效电容方法和存储介质在说明书摘要公布了:本申请提供一种图像传感器、降低等效电容方法和存储介质,图像传感器包括像素阵列、像素输出位线和模数转换模块;所述像素阵列通过所述像素位输出线连接所述模数转换模块;所述模数转换模块包括源极跟随晶体管。本申请提供的图像传感器、降低等效电容方法和存储介质,通过在模数转换模块中加入源极跟随晶体管,将其与像素输出位线两侧的源极跟随信号线连接,不仅能够保护像素输出位线,降低等效寄生电容,还加快信号存储速度。
本发明授权图像传感器、降低等效电容方法和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种图像传感器,其特征在于,包括像素阵列、像素输出位线和模数转换模块; 所述像素阵列通过所述像素输出位线连接所述模数转换模块; 所述模数转换模块包括源极跟随晶体管,其中: 所述源极跟随晶体管的栅极连接所述像素输出位线,所述源极跟随晶体管的漏极连接预设电压,所述源极跟随晶体管的源极接入电流源; 所述源极跟随晶体管的源极还连接源极跟随信号线,且所述源极跟随信号线沿远离所述源极跟随晶体管的源极的相对方向分别包括第一源极跟随信号子线和第二源极跟随信号子线,所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线均与所述像素输出位线平行设置,且所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线分别位于所述像素输出位线的两侧。
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