广微集成技术(深圳)有限公司单亚东获国家专利权
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龙图腾网获悉广微集成技术(深圳)有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117012830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311056335.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件及其制造方法是由单亚东;胡丹;谢刚设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件，该器件包括N‑漂移区，漂移区设置有沟道，沟道内设置有栅极多晶硅和源极多晶硅；栅极多晶硅与源极多晶硅通过层间氧化层隔离，栅极多晶硅与N‑漂移区之间通过栅氧化层隔离；栅氧化层靠近层间氧化层的边部的厚度不小于栅氧化层远离层间氧化层的边部的厚度。该制造方法包括如下步骤：沟槽刻蚀；热氧化工艺生成场氧化层；多晶硅淀积并反刻形成源极多晶硅；氧化层淀积形成初始层间氧化层；表面平整及湿法腐蚀处理形成层间氧化层；栅氧化工艺形成栅氧化层；多晶硅的淀积并反刻形成栅极多晶硅层。本发明栅氧化层结构可以有效降低栅极多晶层底部电场峰值，进一步增强器件可靠性。
本发明授权一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 在晶圆表面进行沟槽刻蚀； 进行热氧化工艺，在所述沟槽内生成场氧化层； 进行多晶硅淀积并反刻，在所述场氧化层中形成屏蔽层源极多晶硅； 进行氧化层淀积对所述沟槽进行填充，在所述屏蔽层源极多晶硅上方形成初始层间氧化层； 对所述初始层间氧化层进行氧化层表面平整处理及湿法腐蚀处理，使所述初始层间氧化层上表面距离所述屏蔽层源极多晶硅预设深度，形成层间氧化层； 进行栅氧化工艺，在所述层间氧化层上方形成栅氧化层； 进行多晶硅的淀积并反刻，在所述栅氧化层内形成栅极多晶硅层； 所述层间氧化层的截面形状为两边高，中间低的弧形结构； 所述栅极多晶硅的底壁与侧壁间圆滑过渡连接，所述栅氧化层靠近所述层间氧化层的边部的厚度不小于所述栅氧化层远离所述层间氧化层的边部的厚度； 所述层间氧化层的上表面的切面与N-漂移区侧壁位于层间氧化层之上的部分的夹角大于90°。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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