上海应用技术大学肖作兵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利二氧化硅囊壁、二氧化硅微胶囊及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117045516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210532276.9，技术领域涉及：A61K8/11；该发明授权二氧化硅囊壁、二氧化硅微胶囊及其制备方法、应用是由肖作兵;寇兴然;牛云蔚;鲍合庆;赵启璇设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本二氧化硅囊壁、二氧化硅微胶囊及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二氧化硅囊壁、二氧化硅微胶囊及其制备方法、应用。本发明的二氧化硅囊壁包括：疏水性中空介孔二氧化硅和亲水性表面活性剂，亲水性表面活性剂的疏水性尾部插入疏水性中空介孔二氧化硅的介孔中，亲水性表面活性剂的亲水性头部留在疏水性中空介孔二氧化硅的表面；亲水性表面活性剂的HLB值不小于10；疏水性中空介孔二氧化硅包括中空介孔二氧化硅和附着在中空介孔二氧化硅表面的疏水剂。本发明的二氧化硅微胶囊的在水中有很好的分散性，具有高的装载容量，同时具有好的缓释性和芯材释放可控性。
本发明授权二氧化硅囊壁、二氧化硅微胶囊及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种二氧化硅囊壁，其特征在于，其包括：疏水性中空介孔二氧化硅和亲水性表面活性剂，所述亲水性表面活性剂的疏水性尾部位于所述疏水性中空介孔二氧化硅的介孔中，所述亲水性表面活性剂的亲水性头部附着在所述疏水性中空介孔二氧化硅的表面；所述亲水性表面活性剂的HLB值不小于10；所述疏水性中空介孔二氧化硅包括中空介孔二氧化硅和附着在所述中空介孔二氧化硅表面的疏水剂； 所述疏水剂为PDES，所述亲水性表面活性剂为吐温80。
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