杭州电子科技大学聂宇林获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于倾斜各向异性的类脑计算神经元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117057404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310520764.2，技术领域涉及：G06N3/06；该发明授权一种基于倾斜各向异性的类脑计算神经元是由聂宇林;龙垣图;陈彬;骆泳铭设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于倾斜各向异性的类脑计算神经元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于倾斜各向异性的类脑计算神经元；本发明通过将在斜切衬底上生长的CoPt多层膜通过微加工制成纳米线结构后作为类脑计算神经元，实现具有倾斜各向异性的磁性薄膜体系。本发明基于具有倾斜各向异性磁性薄膜材料体系中，在正向和负向电流作用下不同的畴壁运动速度，设计得到一种类脑计算神经元，可以用于实现类脑器件在阈值电压前后模拟信号到数字信号的转换。
本发明授权一种基于倾斜各向异性的类脑计算神经元在权利要求书中公布了：1.一种基于倾斜各向异性的类脑计算神经元，其特征在于：将在斜切衬底上生长的CoPt多层膜通过微加工制成纳米线结构后作为类脑计算神经元； 所述斜切衬底为氧化铝斜切衬底，衬底角度为7度； 所述CoPt多层膜的导电层接入调控电流和测量电压，从而通过不断施加脉冲电流来得到其变化的电阻大小；所加磁场是施加在沿纳米线长度方向上，Hx＝-25mt的均匀磁场； 所述CoPt薄膜层结构从上到下依次为Co、Pt、Co、Pt、Co、Pt，上层中Pt的厚度为0.4-0.6nm，上层中Co的厚度为0.8-1nm,中间层Pt的厚度同样为0.5-0.6nm，中间层Co的厚度为0.3-0.5nm；最下层的Pt厚度为0.8-1nm，最下层Co的厚度为0.3-0.5nm，此结构的垂直成分梯度获得垂直各向异性梯度。
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