中山大学刘扬获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117059650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310972198.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法是由刘扬;刘振兴设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法。器件包括阴极、GaN衬底、外延层以及阳极；所述外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层、本征GaN层和p型掺杂GaN层；所述阳极欧姆接触金属置于p型掺杂GaN层上，所述阴极欧姆接触金属置于GaN衬底背面；还包括极化斜边终端结构，所述极化斜边终端结构在包含pn结界面形成，采用电感耦合等离子反应离子刻蚀和光刻胶掩模形成,其中光刻胶掩模采用厚光刻胶进行光刻，随后通过加热板高温加热后退火形成光刻胶的回流形貌，最后进行湿法修复和钝化层对极化斜边终端结构的斜边n型施主表面态进行抑制。本发明能够有效缓解GaN基pn结边界电场集中问题，以及提升GaN基pn结的耐压作用。
本发明授权一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件，其特征在于，由下至上依次包括阴极欧姆接触金属6、导电自支撑GaN衬底1、在GaN衬底1上的外延层以及阳极欧姆接触金属7；所述外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层2、本征GaN层3和p型掺杂GaN层4；所述阳极欧姆接触金属7置于p型掺杂GaN层4上，所述阴极欧姆接触金属6置于GaN衬底1背面；还包括极化斜边终端结构，所述极化斜边终端结构在包含pn结界面形成，采用电感耦合等离子反应离子刻蚀和光刻胶掩模形成，其中光刻胶掩模采用厚光刻胶进行光刻，随后通过加热板高温加热后退火形成光刻胶的回流形貌，最后进行湿法修复和利用钝化层5对极化斜边终端结构的斜边n型施主表面态进行抑制；通过钝化层5的生长保持斜边处极化电荷的存在，起到对器件边缘尖峰电场的调控作用，利用斜边极化电荷缓解器件边缘电场拥堵。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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