北京中博芯半导体科技有限公司贺钟冶获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京中博芯半导体科技有限公司申请的专利高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117070918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310974885.4，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜是由贺钟冶;沈波;张立胜;许福军;杨学林;李峰设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜在说明书摘要公布了：本申请提供了一种高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜，属于半导体器件技术领域。本申请的AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：1在Si衬底上采用MOCVD法生长基底层，得到基底外延片；2将基底外延片进行低功率PVD溅射沉积，生长AlN中间层；3然后在AlN中间层上进行高功率PVD溅射沉积，生长AlN顶层，即得所述AlN薄膜。本申请通过两步PVD溅射沉积进行配合，能够同时协调AlN薄膜的翘曲度、表面粗糙度和晶体质量，从而得到综合性能良好的AlN薄膜。
本发明授权高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜在权利要求书中公布了：1.一种高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在Si衬底上采用MOCVD法生长基底层，得到基底外延片； 2将基底外延片进行低功率PVD溅射沉积，生长AlN中间层；所述低功率PVD溅射沉积的溅射功率为1500~1900W； 3然后在AlN中间层上进行高功率PVD溅射沉积，生长AlN顶层，即得所述AlN薄膜；所述高功率PVD沉积溅射的溅射功率为2100~2900W； 所述高功率PVD溅射沉积的溅射功率为P1，所述低功率PVD溅射沉积的溅射功率为P2，600W≤P1-P2≤1100W； 所述低功率PVD溅射沉积的条件包括：溅射靶材为Al靶材，衬底温度为400~650℃，气体体积流量Ar：N2≥1:6，工作气压为4~10mTorr；所述AlN中间层的厚度为50~150nm； 所述高功率PVD溅射沉积的条件包括：溅射靶材为Al靶材，衬底温度为650~720℃，气体体积流量Ar：N2≤1:6，工作气压为2~4mTorr，所述AlN顶层的厚度为200~800nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京中博芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区(顺创)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励