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龙图腾网获悉广东金湾高景太阳能科技有限公司;四川高景太阳能科技有限公司申请的专利一种单晶硅片切割处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117162297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311318160.6，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种单晶硅片切割处理方法是由季少力;胡琳鎧;郭翔;毕喜行;汤琦设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶硅片切割处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶硅片切割处理方法，能够有效处理在单晶硅片切割过程中出现的金刚线跳线断线现象，包括以下步骤：改变切割辊的形状，设置限位压板，提升切割张力，在砂浆管内加设过滤炮筒，并引用砂浆冲洗切割辊，同时降低切割线速；该单晶硅片切割处理方法在使用时，通过改变切割辊的形状降低异物卡入的几率，通过限位压板限制金刚线切割时的位置，通过提升切割张力确保金刚线与切割辊之间咬合的紧密性，通过在砂浆管内加设过滤炮筒来增强对砂浆的过滤效果，并引用过滤后的砂浆冲洗切割辊来确保无异物卡入切割辊内，在冲洗的同时通过降低切割线速来扩大切割辊的冲洗窗口，增强对切割辊的冲洗效果，实现降低金刚线跳线和断线发生的几率。

本发明授权一种单晶硅片切割处理方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅片切割处理方法，其特征在于，在金刚线切片机上将晶体硅棒切割成单晶硅片时，所述单晶硅片切割处理方法包括以下步骤： A、将所述晶体硅棒用固定工件固定在金刚线切片机的升降工作台的下表面，将金刚线2呈螺旋状缠绕在跨设于工作台相对两侧的切割辊1和位于工作台内部的小辊7上，使金刚线2布设在晶体硅棒的下方；所述切割辊1上均匀开设有若干开槽101，所述金刚线2位于所述开槽101的内部，相邻的所述开槽101之间为槽梗102；所述切割辊1上的槽梗102部位开设有小槽3，所述小槽3的深度为0.02-0.03mm；工作台的砂浆管4下表面安装有限位压板5，调整砂浆管4的位置使限位压板5与切割辊1接触或有微小间隙，利用限位压板5将金刚线2限制在开槽101内； B、随着晶体硅棒下降，在压力泵的作用下，砂浆管4将砂浆喷洒至金刚线2和晶体硅棒间的切削部位，由金刚线2带动砂浆往复高速运动，利用金刚线2上的金刚石颗粒对晶体硅棒进行切削，以将晶体硅棒一次切割为多片单晶硅片；所述砂浆管4内设置有两个过滤炮筒，利用所述过滤炮筒对砂浆进行过滤，并在切割工程中引用过滤后的砂浆冲洗切割辊1，所述金刚线切片机的顶部固定连接有自动喷淋管道6。

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