釜山大学产学合作团郑世泳获国家专利权
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龙图腾网获悉釜山大学产学合作团申请的专利涂敷硅的铜的制备方法、利用该制备方法的涂敷硅的防氧化铜及利用其的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117222772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280030045.6，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权涂敷硅的铜的制备方法、利用该制备方法的涂敷硅的防氧化铜及利用其的半导体装置是由郑世泳;金秀宰设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本涂敷硅的铜的制备方法、利用该制备方法的涂敷硅的防氧化铜及利用其的半导体装置在说明书摘要公布了：本发明涉及涂敷硅的铜的制备方法、利用该制备方法的涂敷硅的防氧化铜及利用其的半导体装置，更详细地，涉及如下包括涂敷硅Si的表面的铜，蒸镀硅Si来形成硅Si‑氧O‑铜Cu混合层保护膜来保持电特性并具有抗氧化性。作为本发明的涂敷硅的防氧化铜的特征在于，蒸镀硅Si来形成硅Si‑氧O混合层。本发明的特征在于，上述涂敷硅的铜包括：铜层10；SiCuOxx层20，在上述铜层10的上端混合硅Si‑氧O‑铜Cu而成；第一硅Si‑氧O混合层30，形成在上述SiCuOxx层20的上端；硅层40，形成在第一硅Si‑氧O混合层30的上端；以及第二硅Si‑氧O混合层50，形成在上述硅Si层40的上端。作为本发明的涂敷硅的铜的制备方法的特征在于，通过溅射sputtering单一工序蒸镀硅Si。
本发明授权涂敷硅的铜的制备方法、利用该制备方法的涂敷硅的防氧化铜及利用其的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种涂敷硅的防氧化铜，其特征在于，涂敷上述硅的铜包括： 铜层10； SiCuOx层20，在上述铜层10的上端混合硅-氧-铜而成； 第一硅-氧混合层30，形成在上述SiCuOx层20的上端； 硅层40，形成在第一硅-氧混合层30的上端；以及 第二硅-氧混合层50，形成在上述硅层40的上端， 其中，在氩氛围下，通过溅射单一工序在铜的表面蒸镀硅来形成作为硅-氧-铜混合层的SiCuOx层20。
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