沈阳理工大学张若琛获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳理工大学申请的专利高模量和硬度的晶态Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu高熵形状记忆薄膜及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311395605.0，技术领域涉及：C22C30/02；该发明授权高模量和硬度的晶态Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu高熵形状记忆薄膜及其制法是由张若琛;毛鹏燕;刘贺;陶绍虎;郭策安设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本高模量和硬度的晶态Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu高熵形状记忆薄膜及其制法在说明书摘要公布了：一种高模量和硬度的晶态Ti‑Zr‑Hf‑Co‑Ni‑Cu高熵形状记忆薄膜及其制法，属于高熵形状记忆合金技术领域。该高模量和硬度的晶态Ti‑Zr‑Hf‑Co‑Ni‑Cu高熵形状记忆薄膜，具体化学组分为Ti16.6716.67Zr16.6716.67Hf16.6716.67Co16.6716.67Ni16.6716.67Cu16.6716.67。制备的高模量和硬度的晶态Ti‑Zr‑Hf‑Co‑Ni‑Cu高熵形状记忆薄膜硬度高达75GPa，弹性模量高达935GPa，薄膜内部的结晶度高，晶粒形态为尺寸细小的等轴晶，分布均匀。其制备方法采用超高真空直流磁控溅射方法，这种方法具有普适应。
本发明授权高模量和硬度的晶态Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu高熵形状记忆薄膜及其制法在权利要求书中公布了：1.一种高模量和硬度的晶态Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu高熵形状记忆薄膜，其特征在于，Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu为等原子百分比，具体化学组分为Ti16.67Zr16.67Hf16.67Co16.67Ni16.67Cu16.67； 所述的高模量和硬度的晶态Ti-Zr-Hf-Co-Ni-Cu高熵形状记忆薄膜，弹性模量为592～930.2GPa，硬度为43～70.3GPa，薄膜的组织结构为单相晶态。
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